| 品牌 | 昊量光電 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 微陣列芯片系統(tǒng) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
795nm/895nm高功率單模VCSEL激光芯片
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。Vcsel激光器結(jié)構(gòu)由P型，N型布拉格發(fā)射器，有源區(qū)由量子肼組成。
上海昊量光電設(shè)備有限公司推出高功率（1mw)、窄線寬、單模、高偏振對(duì)比度的795nm/895nmVcsel激光芯片。該產(chǎn)品性能穩(wěn)定，廣泛應(yīng)用于原子磁力計(jì)、磁強(qiáng)計(jì)、陀螺儀、原子鐘等領(lǐng)域。
美國(guó)Vixar是ams OSRAM的子公司，為傳感器和設(shè)備應(yīng)用制造VCSEL芯片。 Vixar建立了生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施和供應(yīng)鏈，提供大批量生產(chǎn)。 美國(guó)VIXAR公司生產(chǎn)的795nm，895nm垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）芯片可以實(shí)現(xiàn)單模輸出（TEM00），線寬非常窄（<70MHz, +/-0.5nm），適用于銣原子鐘，銫原子鐘，頻率標(biāo)準(zhǔn)，磁力儀等方向。
795nm/895nm高功率單模VCSEL激光芯片特點(diǎn) ：
裸芯片
工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
波長(zhǎng): 894.6 nm、795nm
模式: 單模
功率：≥1mw
偏振對(duì)比度：25dB
795nm/895nm 高功率單模VCSEL激光芯片產(chǎn)品參數(shù)：
PARAMETER | MIN | TYP | MAX | TEST CONITIONS |
Emission Wavelength(nm) | 794.98 | |||
Chip Temperature(℃) | 30 | 90 | adjusted by TEC | |
Threshold Current (mA) | 0.8 | 1.2 | ||
Threshold Voltage(V) | 1.8 | |||
Output Power (mW) | 1 | 1.2 | 1.5 | @3.5mA |
Operating Voltage(V) | 2.3 | |||
wavelength tuning Over Current (nm/mA) | 0.3 | |||
Side Mode Suppression (dB) | 25 | 30 | @3mA | |
polarization extinction ratio (dB) | 20 | 25 | @3mA | |
beam divergence (°) | 10 | 25 | 1/e2 | |
Spectral Bandwidth (MHz) | 70 | Unmodulated |
795nm/895nm 高功率單模VCSEL激光芯片產(chǎn)品應(yīng)用：
磁力計(jì)/磁強(qiáng)計(jì)
原子鐘
陀螺儀
心磁圖儀
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